NTTD1P02R2G характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	500mW
Исполнение корпуса	Micro8™
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	1.45A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	160 mOhm @ 1.45A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	265pF @ 16V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	500mW
Исполнение корпуса	Micro8™
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	1.45A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	160 mOhm @ 1.45A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	265pF @ 16V

NTTD1P02R2G

NTTD1P02R2G характеристики