NTSB30100S-1G характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-262-3 Long Leads, I?Pak, TO-262AA
Исполнение корпуса	I2PAK (TO-262)
Тип диода	Schottky
Cреднее значение выпрямленного тока (Io)	30A
Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If	950mV @ 30A
Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)	1mA @ 100V
Максимальное обратное напряжение (Vr)	100V
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рабочая температура pn-прехода	-40°C ~ 150°C
Емкость @ Vr, F	-

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-262-3 Long Leads, I?Pak, TO-262AA
Исполнение корпуса	I2PAK (TO-262)
Тип диода	Schottky
Cреднее значение выпрямленного тока (Io)	30A
Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If	950mV @ 30A
Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)	1mA @ 100V
Максимальное обратное напряжение (Vr)	100V
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рабочая температура pn-прехода	-40°C ~ 150°C
Емкость @ Vr, F	-

NTSB30100S-1G

NTSB30100S-1G характеристики