NTR3A30PZT1G характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Корпус	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-23-3 (TO-236)
Рассеивание мощности (Макс)	480mW (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	38 mOhm @ 3A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1651pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Vgs (Max)	±8V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Корпус	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-23-3 (TO-236)
Рассеивание мощности (Макс)	480mW (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	38 mOhm @ 3A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1651pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Vgs (Max)	±8V

NTR3A30PZT1G

NTR3A30PZT1G характеристики