NTP8G202NG характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Last Time Buy
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-220-3
Технология	GaNFET (Gallium Nitride)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-220-3
Рассеивание мощности (Макс)	65W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	600V
Ток стока (Id) @ 25°C	9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	350 mOhm @ 5.5A, 8V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.6V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9.3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	760pF @ 400V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	8V
Vgs (Max)	±18V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Last Time Buy
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-220-3
Технология	GaNFET (Gallium Nitride)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-220-3
Рассеивание мощности (Макс)	65W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	600V
Ток стока (Id) @ 25°C	9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	350 mOhm @ 5.5A, 8V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.6V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9.3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	760pF @ 400V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	8V
Vgs (Max)	±18V

NTP8G202NG

NTP8G202NG характеристики