NTND31225CZTAG характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	Automotive, AEC-Q101
Part Status	Active
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-XFLGA
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	125mW (Ta)
Исполнение корпуса	6-XLLGA (.90x.65)
Тип полевого транзистора	N and P-Channel Complementary
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	220mA (Ta), 127mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5 Ohm @ 100mA, 4.5V, 5 Ohm @ 100mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	12.3pF @ 15V, 12.8pF @ 15V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	Automotive, AEC-Q101
Part Status	Active
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-XFLGA
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	125mW (Ta)
Исполнение корпуса	6-XLLGA (.90x.65)
Тип полевого транзистора	N and P-Channel Complementary
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	220mA (Ta), 127mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5 Ohm @ 100mA, 4.5V, 5 Ohm @ 100mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	12.3pF @ 15V, 12.8pF @ 15V

NTND31225CZTAG

NTND31225CZTAG характеристики