NTMFS6B14NT1G характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerTDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Рассеивание мощности (Макс)	3.1W (Ta), 77W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	10A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1300pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerTDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Рассеивание мощности (Макс)	3.1W (Ta), 77W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	10A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1300pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Vgs (Max)	±20V

NTMFS6B14NT1G

NTMFS6B14NT1G характеристики