NTMFS4C10NT1G-001 характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Discontinued at Digi-Key
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerTDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Рассеивание мощности (Макс)	750mW (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	8.2A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.95 mOhm @ 30A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18.6nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	987pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Discontinued at Digi-Key
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerTDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Рассеивание мощности (Макс)	750mW (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	8.2A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.95 mOhm @ 30A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18.6nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	987pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

NTMFS4C10NT1G-001

NTMFS4C10NT1G-001 характеристики