NTMFS4854NST3G характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	SENSEFET®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerTDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SO-8FL
Рассеивание мощности (Макс)	900mW (Ta), 86.2W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	25V
Ток стока (Id) @ 25°C	15.2A (Ta), 149A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5 mOhm @ 15A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	85nC @ 11.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4830pF @ 12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	3.2V, 10V
Vgs (Max)	±16V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	SENSEFET®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerTDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SO-8FL
Рассеивание мощности (Макс)	900mW (Ta), 86.2W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	25V
Ток стока (Id) @ 25°C	15.2A (Ta), 149A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5 mOhm @ 15A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	85nC @ 11.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4830pF @ 12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	3.2V, 10V
Vgs (Max)	±16V

NTMFS4854NST3G

NTMFS4854NST3G характеристики