NTMFS4847NAT3G характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerTDFN, 5 Leads
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Рассеивание мощности (Макс)	880mW (Ta), 48.4W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	11.5A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.1 mOhm @ 30A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	28nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2614pF @ 12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 11.5V
Vgs (Max)	±16V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerTDFN, 5 Leads
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Рассеивание мощности (Макс)	880mW (Ta), 48.4W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	11.5A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.1 mOhm @ 30A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	28nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2614pF @ 12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 11.5V
Vgs (Max)	±16V

NTMFS4847NAT3G

NTMFS4847NAT3G характеристики