NTMFS4825NFET1G характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerTDFN, 5 Leads
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Рассеивание мощности (Макс)	950mW (Ta), 96.2W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	17A (Ta), 171A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 mOhm @ 22A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	40.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5660pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerTDFN, 5 Leads
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Рассеивание мощности (Макс)	950mW (Ta), 96.2W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	17A (Ta), 171A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 mOhm @ 22A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	40.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5660pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

NTMFS4825NFET1G

NTMFS4825NFET1G характеристики