NTMFS10N7D2C характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	PowerTrench®
Part Status	Active
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerTDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-PQFN (5x6), Power56
Рассеивание мощности (Макс)	83W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.2 mOhm @ 28A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	37nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2635pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	PowerTrench®
Part Status	Active
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerTDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-PQFN (5x6), Power56
Рассеивание мощности (Макс)	83W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.2 mOhm @ 28A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	37nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2635pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Vgs (Max)	±20V

NTMFS10N7D2C

NTMFS10N7D2C характеристики