NTMFS08N004C характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	PowerTrench®
Part Status	Active
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerTDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-PQFN (5x6), Power56
Рассеивание мощности (Макс)	125W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	80V
Ток стока (Id) @ 25°C	126A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 mOhm @ 44A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	55nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4250pF @ 40V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	PowerTrench®
Part Status	Active
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerTDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-PQFN (5x6), Power56
Рассеивание мощности (Макс)	125W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	80V
Ток стока (Id) @ 25°C	126A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 mOhm @ 44A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	55nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4250pF @ 40V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Vgs (Max)	±20V

NTMFS08N004C

NTMFS08N004C характеристики