+7 (495) 133-39-03 | info@zener.ru
+7 (495) 133-39-03
корзина
Нет товаров
Электронные компоненты оптом и в розницу
корзина
Нет товаров
Каталог товаров
Назад
Все категории
Назад

NTMFD4C86NT3G

  • Описание
    MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
382 ₽
цена с НДС
  • 124 шт
    382 ₽
Добавить в корзину 124 шт на сумму 47 368 ₽
При покупке кэшбэк 7 105 баллов
Добавить в корзину
  • Бесплатная доставка по России
    Бесплатная доставка без минимальной суммы заказа!
    Доставим в любой пункт выдачи СДЭК или курьером до вашего адреса по всей России.

NTMFD4C86NT3G характеристики
Серия -
Part Status Obsolete
Упаковка Tape & Reel (TR)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 8-PowerTDFN
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 1.1W
Исполнение корпуса 8-DFN (5x6)
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Особенности полевого транзистора Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 30V
Ток стока (Id) @ 25°C 11.3A, 18.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.4 mOhm @ 30A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1153pF @ 15V
  • Производитель
    onsemi

Характеристики
Серия -
Part Status Obsolete
Упаковка Tape & Reel (TR)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 8-PowerTDFN
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 1.1W
Исполнение корпуса 8-DFN (5x6)
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Особенности полевого транзистора Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 30V
Ток стока (Id) @ 25°C 11.3A, 18.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.4 mOhm @ 30A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1153pF @ 15V

NTMFD4C86NT3G

  • Описание
    MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


  • Производитель
    onsemi

Бесплатно доставим NTMFD4C86NT3G в пункт выдачи или курьером по вашему адресу

Транзисторы — полевые — массивы NTMFD4C86NT3G ON Semiconductor доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить NTMFD4C86NT3G с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
ALD1101ASAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
25 шт - 4-6 недель
от 1719 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 258
ALD1101PAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
20 шт - 4-6 недель
от 1545 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 232
ALD1102PAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
40 шт - 4-6 недель
от 1545 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 232
ALD1102SAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
43 шт - 4-6 недель
от 1249 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 187
ALD1103PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт - 4-6 недель
от 1881 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 282
ALD1103SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
45 шт - 4-6 недель
от 1880 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 282
ALD1105PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
177 шт - 4-6 недель
от 1267 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 190
ALD1105SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
40 шт - 4-6 недель
от 1207 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 181
ALD1106PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
135 шт - 4-6 недель
от 1246 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 187
ALD1106SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC
3011 шт - 4-6 недель
от 1207 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 181
ALD1107PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
93 шт - 4-6 недель
от 1267 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 190
ALD1107SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC
31 шт - 4-6 недель
от 1119 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 168
Смотреть все
Выберите ваш город