+7 (495) 133-39-03 | info@zener.ru
+7 (495) 133-39-03
корзина
Нет товаров
Электронные компоненты оптом и в розницу
корзина
Нет товаров
Каталог товаров
Назад
Все категории
Назад

NTMFD4C86NT3G

  • Описание
    MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
443 ₽
цена с НДС
  • 124 шт
    443 ₽
Добавить в корзину 124 шт на сумму 54 932 ₽
При покупке кэшбэк 8 239 баллов
Добавить в корзину
  • Бесплатная доставка по России
    Бесплатная доставка без минимальной суммы заказа!
    Доставим в любой пункт выдачи СДЭК или курьером до вашего адреса по всей России.

NTMFD4C86NT3G характеристики
Серия -
Part Status Obsolete
Упаковка Tape & Reel (TR)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 8-PowerTDFN
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 1.1W
Исполнение корпуса 8-DFN (5x6)
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Особенности полевого транзистора Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 30V
Ток стока (Id) @ 25°C 11.3A, 18.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.4 mOhm @ 30A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1153pF @ 15V
  • Производитель
    onsemi

Характеристики
Серия -
Part Status Obsolete
Упаковка Tape & Reel (TR)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 8-PowerTDFN
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 1.1W
Исполнение корпуса 8-DFN (5x6)
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Особенности полевого транзистора Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 30V
Ток стока (Id) @ 25°C 11.3A, 18.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.4 mOhm @ 30A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1153pF @ 15V

NTMFD4C86NT3G

  • Описание
    MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


  • Производитель
    onsemi

Бесплатно доставим NTMFD4C86NT3G в пункт выдачи или курьером по вашему адресу

Транзисторы — полевые — массивы NTMFD4C86NT3G ON Semiconductor доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить NTMFD4C86NT3G с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
ALD1101ASAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
35 шт - 4-6 недель
от 1996 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 299
ALD1101PAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
33 шт - 4-6 недель
от 1793 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 269
ALD1102PAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
14 шт - 4-6 недель
от 1793 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 269
ALD1102SAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
43 шт - 4-6 недель
от 1450 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 218
ALD1103PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
46 шт - 4-6 недель
от 1928 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 289
ALD1103SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
48 шт - 4-6 недель
от 1928 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 289
ALD1105PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
303 шт - 4-6 недель
от 1394 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 209
ALD1105SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
40 шт - 4-6 недель
от 1401 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 210
ALD1106PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
95 шт - 4-6 недель
от 1394 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 209
ALD1106SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC
1541 шт - 4-6 недель
от 1401 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 210
ALD1107PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
90 шт - 4-6 недель
от 1394 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 209
ALD1107SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC
77 шт - 4-6 недель
от 1299 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 195
Смотреть все
Выберите ваш город