NTMFD4902NFT1G характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerTDFN
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.1W, 1.16W
Исполнение корпуса	8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual), Schottky
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	10.3A, 13.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.5 mOhm @ 10A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9.7nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1150pF @ 15V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerTDFN
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.1W, 1.16W
Исполнение корпуса	8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual), Schottky
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	10.3A, 13.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.5 mOhm @ 10A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9.7nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1150pF @ 15V

NTMFD4902NFT1G

NTMFD4902NFT1G характеристики