NTMD6N02R2G характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	730mW
Исполнение корпуса	8-SOIC
Base Part Number	NTMD6N02
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	3.92A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35 mOhm @ 6A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1100pF @ 16V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	730mW
Исполнение корпуса	8-SOIC
Base Part Number	NTMD6N02
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	3.92A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35 mOhm @ 6A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1100pF @ 16V

NTMD6N02R2G

NTMD6N02R2G характеристики