NTMD6601NR2G характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	600mW
Исполнение корпуса	8-SOIC
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	80V
Ток стока (Id) @ 25°C	1.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	215 mOhm @ 2.2A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	400pF @ 25V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	600mW
Исполнение корпуса	8-SOIC
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	80V
Ток стока (Id) @ 25°C	1.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	215 mOhm @ 2.2A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	400pF @ 25V

NTMD6601NR2G

NTMD6601NR2G характеристики