NTMC1300R2 характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-65°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	2W
Исполнение корпуса	8-SOIC
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	2.2A, 1.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90 mOhm @ 3A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	300pF @ 20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-65°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	2W
Исполнение корпуса	8-SOIC
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	2.2A, 1.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90 mOhm @ 3A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	300pF @ 20V

NTMC1300R2

NTMC1300R2 характеристики