NTLUD3A260PZTBG характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-UFDFN Exposed Pad
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	500mW
Исполнение корпуса	6-UDFN (1.6x1.6)
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	200 mOhm @ 2A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	300pF @ 10V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-UFDFN Exposed Pad
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	500mW
Исполнение корпуса	6-UDFN (1.6x1.6)
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	200 mOhm @ 2A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	300pF @ 10V

NTLUD3A260PZTBG

NTLUD3A260PZTBG характеристики