NTLJF3117PT1G от 127 ₽, Транзисторы — полевые — одиночные, MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-WDFN, ON Semiconductor

NTLJF3117PT1G характеристики	Выбрать все
Серия	µCool™
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-WDFN Exposed Pad
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	6-WDFN (2x2)
Рассеивание мощности (Макс)	710mW (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	Schottky Diode (Isolated)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 2A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	531pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Vgs (Max)	±8V

Характеристики	Выбрать все
Серия	µCool™
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-WDFN Exposed Pad
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	6-WDFN (2x2)
Рассеивание мощности (Макс)	710mW (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	Schottky Diode (Isolated)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 2A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	531pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Vgs (Max)	±8V