NTK3043NT1G характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-723
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-723
Рассеивание мощности (Макс)	310mW (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.4 Ohm @ 10mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.3V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	11pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.65V, 4.5V
Vgs (Max)	±10V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-723
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-723
Рассеивание мощности (Макс)	310mW (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.4 Ohm @ 10mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.3V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	11pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.65V, 4.5V
Vgs (Max)	±10V

NTK3043NT1G

NTK3043NT1G характеристики