NTJS4160NT1G характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SC-88/SC70-6/SOT-363
Рассеивание мощности (Макс)	300mW (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 2.6A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.75nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	230pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SC-88/SC70-6/SOT-363
Рассеивание мощности (Макс)	300mW (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 2.6A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.75nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	230pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

NTJS4160NT1G

NTJS4160NT1G характеристики