Каталог товаров
Назад

NTJD2152PT4G

  • Описание
    MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363


NTJD2152PT4G характеристики

Производитель ON Semiconductor
Серия -
Part Status Obsolete
Упаковка Tape & Reel (TR)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 270mW
Исполнение корпуса SC-88/SC70-6/SOT-363
Base Part Number NTJD2152P
Тип полевого транзистора 2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 8V
Ток стока (Id) @ 25°C 775mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300 mOhm @ 570mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 225pF @ 8V

Характеристики

Производитель ON Semiconductor
Серия -
Part Status Obsolete
Упаковка Tape & Reel (TR)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 270mW
Исполнение корпуса SC-88/SC70-6/SOT-363
Base Part Number NTJD2152P
Тип полевого транзистора 2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 8V
Ток стока (Id) @ 25°C 775mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300 mOhm @ 570mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 225pF @ 8V

NTJD2152PT4G

  • Описание
    MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363
NTJD2152PT4G
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию



Бесплатная доставка NTJD2152PT4G по России

Транзисторы — полевые — массивы NTJD2152PT4G ON Semiconductor доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить NTJD2152PT4G с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
7 шт.
от 1084 ₽
+ 81300 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
55 шт.
от 946 ₽
+ 70950 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
22 шт.
от 946 ₽
+ 70950 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
19 шт.
от 711 ₽
+ 53325 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
312 шт.
от 1048 ₽
+ 78600 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
56 шт.
от 943 ₽
+ 70725 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
352 шт.
от 684 ₽
+ 51300 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
575 шт.
от 684 ₽
+ 51300 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
964 шт.
от 618 ₽
+ 46350 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
198 шт.
от 684 ₽
+ 51300 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
48 шт.
от 618 ₽
+ 46350 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP
50 шт.
6 шт.
от 1092 ₽
+ 81900 баллов