Каталог товаров
Назад

NTJD1155LT1

  • Описание
    MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363


NTJD1155LT1 характеристики

Производитель ON Semiconductor
Серия -
Part Status Obsolete
Упаковка Tape & Reel (TR)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 400mW
Исполнение корпуса SC-88/SC70-6/SOT-363
Base Part Number NTJD1155
Тип полевого транзистора N and P-Channel
Особенности полевого транзистора Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 8V
Ток стока (Id) @ 25°C 1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 175 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -

Характеристики

Производитель ON Semiconductor
Серия -
Part Status Obsolete
Упаковка Tape & Reel (TR)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 400mW
Исполнение корпуса SC-88/SC70-6/SOT-363
Base Part Number NTJD1155
Тип полевого транзистора N and P-Channel
Особенности полевого транзистора Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 8V
Ток стока (Id) @ 25°C 1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 175 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -

NTJD1155LT1

  • Описание
    MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363
NTJD1155LT1
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию



Бесплатная доставка NTJD1155LT1 по России

Транзисторы — полевые — массивы NTJD1155LT1 ON Semiconductor доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить NTJD1155LT1 с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
7 шт.
от 1084 ₽
+ 81300 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
55 шт.
от 946 ₽
+ 70950 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
22 шт.
от 946 ₽
+ 70950 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
19 шт.
от 711 ₽
+ 53325 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
312 шт.
от 1048 ₽
+ 78600 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
56 шт.
от 943 ₽
+ 70725 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
352 шт.
от 684 ₽
+ 51300 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
575 шт.
от 684 ₽
+ 51300 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
964 шт.
от 618 ₽
+ 46350 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
198 шт.
от 684 ₽
+ 51300 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
48 шт.
от 618 ₽
+ 46350 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP
50 шт.
6 шт.
от 1092 ₽
+ 81900 баллов