NTHD5905T1 характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SMD, Flat Lead
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.1W
Исполнение корпуса	ChipFET™
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	8V
Ток стока (Id) @ 25°C	3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90 mOhm @ 3A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	450mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	-

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SMD, Flat Lead
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.1W
Исполнение корпуса	ChipFET™
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	8V
Ток стока (Id) @ 25°C	3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90 mOhm @ 3A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	450mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	-

NTHD5905T1

NTHD5905T1 характеристики