NTHD4401PT1G от 46 ₽, Транзисторы — полевые — массивы, MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET, ON Semiconductor

NTHD4401PT1G характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SMD, Flat Lead
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.1W
Исполнение корпуса	ChipFET™
Base Part Number	NTHD4401P
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	2.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	155 mOhm @ 2.1A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	300pF @ 10V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SMD, Flat Lead
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.1W
Исполнение корпуса	ChipFET™
Base Part Number	NTHD4401P
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	2.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	155 mOhm @ 2.1A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	300pF @ 10V