NTGD4167CT1G

Описание

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 30/-30В

197 ₽

цена с НДС

338 шт

В наличии

754510 шт
4-6 недель

1 шт

197 ₽
10 шт

123 ₽
50 шт

91 ₽
100 шт

80 ₽
500 шт

62 ₽
3000 шт

48 ₽
6000 шт

44 ₽

Добавить в корзину 1 шт на сумму 197 ₽
При покупке кэшбэк 29 баллов

Добавить в корзину

Бесплатная доставка без минимальной суммы заказа!

Доставим в любой пункт выдачи СДЭК или курьером до вашего адреса по всей России.

Производитель

onsemi

Документация

Datasheetpdf, 5,69 KB

NTGD4167CT1G характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	900mW
Исполнение корпуса	6-TSOP
Base Part Number	NTGD4167C
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	2.6A, 1.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90 mOhm @ 2.6A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	295pF @ 15V

NTGD4167CT1G

Описание

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 30/-30В

* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию

Производитель

onsemi

Документация

Datasheetpdf, 5,69 KB

Бесплатно доставим NTGD4167CT1G в пункт выдачи или курьером по вашему адресу

Транзисторы — полевые — массивы NTGD4167CT1G ON Semiconductor доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить NTGD4167CT1G с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.

Сопутствующие товары

40 шт - 4-6 недель

от 19660 ₽

Кэшбэк + 2949

Подробнее

52 шт - 4-6 недель

от 13183 ₽

Кэшбэк + 1977

Подробнее

Смотреть все

Похожие товары

Advanced Linear Devices Inc.

MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

42 шт - 4-6 недель

от 2067 ₽

Кэшбэк + 310

Advanced Linear Devices Inc.

MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

41 шт - 4-6 недель

от 1603 ₽

Кэшбэк + 240

Advanced Linear Devices Inc.

MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC

78 шт - 4-6 недель

от 2213 ₽

Кэшбэк + 332

Advanced Linear Devices Inc.

MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC

28 шт - 4-6 недель

от 1603 ₽

Кэшбэк + 240

Advanced Linear Devices Inc.

MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP

454 шт - 4-6 недель

от 2320 ₽

Кэшбэк + 348

Advanced Linear Devices Inc.

MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC

24 шт - 4-6 недель

от 2236 ₽

Кэшбэк + 335

Advanced Linear Devices Inc.

MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP

1154 шт - 4-6 недель

от 1616 ₽

Кэшбэк + 242

Advanced Linear Devices Inc.

MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC

25 шт - 4-6 недель

от 1616 ₽

Кэшбэк + 242

Advanced Linear Devices Inc.

MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP

1270 шт - 4-6 недель

от 1797 ₽

Кэшбэк + 270

Advanced Linear Devices Inc.

MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP

1000 шт - 4-6 недель

от 1829 ₽

Кэшбэк + 274

Advanced Linear Devices Inc.

MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC

106 шт - 4-6 недель

от 1496 ₽

Кэшбэк + 224

Advanced Linear Devices Inc.

MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

50 шт - 4-6 недель

от 2127 ₽

Кэшбэк + 319

Смотреть все

Выберите ваш город