NTGD4167CT1G

Описание

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 30/-30В

1 431 ₽

цена с НДС

338 шт

В наличии

756597 шт
4-6 недель

1 шт

1 431 ₽
10 шт

239 ₽
100 шт

87 ₽
500 шт

60 ₽
1000 шт

53 ₽
3000 шт

42 ₽

Добавить в корзину 1 шт на сумму 1 431 ₽
При покупке кэшбэк 214 баллов

Добавить в корзину

Бесплатная доставка без минимальной суммы заказа!

Доставим в любой пункт выдачи СДЭК или курьером до вашего адреса по всей России.

Производитель

onsemi

Документация

Datasheetpdf, 7,3 KB

NTGD4167CT1G характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	900mW
Исполнение корпуса	6-TSOP
Base Part Number	NTGD4167C
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	2.6A, 1.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90 mOhm @ 2.6A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	295pF @ 15V

NTGD4167CT1G

Описание

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 30/-30В

* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию

Производитель

onsemi

Документация

Datasheetpdf, 7,3 KB

Бесплатно доставим NTGD4167CT1G в пункт выдачи или курьером по вашему адресу

Транзисторы — полевые — массивы NTGD4167CT1G ON Semiconductor доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить NTGD4167CT1G с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.

Сопутствующие товары

8 шт - 4-6 недель

от 18968 ₽

Кэшбэк + 2845

Подробнее

57 шт - 4-6 недель

от 12719 ₽

Кэшбэк + 1908

Подробнее

Смотреть все

Похожие товары

Advanced Linear Devices Inc.

MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

42 шт - 4-6 недель

от 2022 ₽

Кэшбэк + 303

Advanced Linear Devices Inc.

MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

41 шт - 4-6 недель

от 1569 ₽

Кэшбэк + 235

Advanced Linear Devices Inc.

MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC

78 шт - 4-6 недель

от 2165 ₽

Кэшбэк + 325

Advanced Linear Devices Inc.

MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC

28 шт - 4-6 недель

от 1569 ₽

Кэшбэк + 235

Advanced Linear Devices Inc.

MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP

454 шт - 4-6 недель

от 2270 ₽

Кэшбэк + 341

Advanced Linear Devices Inc.

MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC

24 шт - 4-6 недель

от 2188 ₽

Кэшбэк + 328

Advanced Linear Devices Inc.

MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP

1353 шт - 4-6 недель

от 1581 ₽

Кэшбэк + 237

Advanced Linear Devices Inc.

MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC

25 шт - 4-6 недель

от 1581 ₽

Кэшбэк + 237

Advanced Linear Devices Inc.

MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP

1591 шт - 4-6 недель

от 1658 ₽

Кэшбэк + 249

Advanced Linear Devices Inc.

MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC

106 шт - 4-6 недель

от 1464 ₽

Кэшбэк + 220

Advanced Linear Devices Inc.

MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP

5 шт - 4-6 недель

от 2256 ₽

Кэшбэк + 338

Advanced Linear Devices Inc.

MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

680 шт - 4-6 недель

от 1276 ₽

Кэшбэк + 191

Смотреть все

Выберите ваш город