NTGD3148NT1G характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Рабочая температура	-50°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	900mW
Исполнение корпуса	6-TSOP
Base Part Number	NTGD3148N
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	70 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	300pF @ 10V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Рабочая температура	-50°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	900mW
Исполнение корпуса	6-TSOP
Base Part Number	NTGD3148N
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	70 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	300pF @ 10V

NTGD3148NT1G

NTGD3148NT1G характеристики