NTD5407NG характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	DPAK
Рассеивание мощности (Макс)	75W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	40V
Ток стока (Id) @ 25°C	7.6A (Ta), 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	26 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1000pF @ 32V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	DPAK
Рассеивание мощности (Макс)	75W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	40V
Ток стока (Id) @ 25°C	7.6A (Ta), 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	26 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1000pF @ 32V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

NTD5407NG

NTD5407NG характеристики