NTD4854N-35G характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-251-3 Stub Leads, IPak
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	I-PAK
Рассеивание мощности (Макс)	1.43W (Ta), 93.75W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	25V
Ток стока (Id) @ 25°C	15.7A (Ta), 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.6 mOhm @ 30A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	49.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4600pF @ 12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-251-3 Stub Leads, IPak
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	I-PAK
Рассеивание мощности (Макс)	1.43W (Ta), 93.75W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	25V
Ток стока (Id) @ 25°C	15.7A (Ta), 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.6 mOhm @ 30A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	49.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4600pF @ 12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

NTD4854N-35G

NTD4854N-35G характеристики