NTD23N03R-001 характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	I-PAK
Рассеивание мощности (Макс)	1.14W (Ta), 22.3W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	25V
Ток стока (Id) @ 25°C	3.8A (Ta), 17.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	45 mOhm @ 6A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.76nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	225pF @ 20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 5V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	I-PAK
Рассеивание мощности (Макс)	1.14W (Ta), 22.3W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	25V
Ток стока (Id) @ 25°C	3.8A (Ta), 17.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	45 mOhm @ 6A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.76nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	225pF @ 20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 5V
Vgs (Max)	±20V

NTD23N03R-001

NTD23N03R-001 характеристики