NTD20N03L27-001 характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	I-PAK
Рассеивание мощности (Макс)	1.75W (Ta), 74W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	27 mOhm @ 10A, 5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18.9nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1260pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 5V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	I-PAK
Рассеивание мощности (Макс)	1.75W (Ta), 74W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	27 mOhm @ 10A, 5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18.9nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1260pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 5V
Vgs (Max)	±20V

NTD20N03L27-001

NTD20N03L27-001 характеристики