NTD18N06L-1G характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	I-PAK
Рассеивание мощности (Макс)	2.1W (Ta), 55W (Tj)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	65 mOhm @ 9A, 5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	22nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	675pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Vgs (Max)	±15V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	I-PAK
Рассеивание мощности (Макс)	2.1W (Ta), 55W (Tj)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	65 mOhm @ 9A, 5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	22nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	675pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Vgs (Max)	±15V

NTD18N06L-1G

NTD18N06L-1G характеристики