NTB25P06G Транзисторы — полевые — одиночные, MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK, ON Semiconductor

NTB25P06G характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	D2PAK
Рассеивание мощности (Макс)	120W (Tj)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	27.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	82 mOhm @ 25A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	50nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1680pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±15V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	D2PAK
Рассеивание мощности (Макс)	120W (Tj)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	27.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	82 mOhm @ 25A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	50nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1680pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±15V