NP55N055SUG-E1-AY характеристики	Выбрать все
Производитель	Renesas Electronics America
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	175°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-252 (MP-3ZK)
Рассеивание мощности (Макс)	1.2W (Ta), 77W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	55V
Ток стока (Id) @ 25°C	55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 28A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	90nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5250pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Renesas Electronics America
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	175°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-252 (MP-3ZK)
Рассеивание мощности (Макс)	1.2W (Ta), 77W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	55V
Ток стока (Id) @ 25°C	55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 28A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	90nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5250pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

NP55N055SUG-E1-AY

NP55N055SUG-E1-AY характеристики