NP50P03YDG-E1-AY характеристики	Выбрать все
Производитель	Renesas Electronics America
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	175°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-HSON
Рассеивание мощности (Макс)	1W (Ta), 102W (Tc)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.4 mOhm @ 25A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	96nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3500pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Renesas Electronics America
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	175°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-HSON
Рассеивание мощности (Макс)	1W (Ta), 102W (Tc)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.4 mOhm @ 25A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	96nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3500pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

NP50P03YDG-E1-AY

NP50P03YDG-E1-AY характеристики