NMSD200B01-7 характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-363
Рассеивание мощности (Макс)	200mW (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	Schottky Diode (Isolated)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3 Ohm @ 50mA, 5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-363
Рассеивание мощности (Макс)	200mW (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	Schottky Diode (Isolated)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3 Ohm @ 50mA, 5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

NMSD200B01-7

NMSD200B01-7 характеристики