NLX2G66DMUTCG характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Корпус	8-UFDFN
Рабочая температура	-55°C ~ 125°C (TA)
Исполнение корпуса	8-UDFN (1.95x1)
Количество схем	2
Полоса пропускания -3 дБ	270MHz
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	1:1
Переключающая схема	SPST - NO
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	5.5 Ohm
Напряжение питания (V+)	1.65 V ~ 5.5 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	-
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	4.5 Ohm
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	4.9ns, 6ns
Инжекция заряда	-
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	6pF
Ток утечки (IS(off)) (Max)	100nA
Перекрёстные помехи	-100dB @ 1MHz

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Корпус	8-UFDFN
Рабочая температура	-55°C ~ 125°C (TA)
Исполнение корпуса	8-UDFN (1.95x1)
Количество схем	2
Полоса пропускания -3 дБ	270MHz
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	1:1
Переключающая схема	SPST - NO
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	5.5 Ohm
Напряжение питания (V+)	1.65 V ~ 5.5 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	-
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	4.5 Ohm
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	4.9ns, 6ns
Инжекция заряда	-
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	6pF
Ток утечки (IS(off)) (Max)	100nA
Перекрёстные помехи	-100dB @ 1MHz

NLX2G66DMUTCG

NLX2G66DMUTCG характеристики