NLVASB3157DFT2G характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Корпус	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура	-55°C ~ 125°C (TA)
Исполнение корпуса	SC-88/SC70-6/SOT-363
Количество схем	1
Полоса пропускания -3 дБ	250MHz
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	2:1
Переключающая схема	SPDT
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	7 Ohm (Typ)
Напряжение питания (V+)	1.65 V ~ 5.5 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	-
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	500 mOhm
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	-
Инжекция заряда	7pC
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	-
Ток утечки (IS(off)) (Max)	100nA
Перекрёстные помехи	-54dB @ 10MHz

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Корпус	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура	-55°C ~ 125°C (TA)
Исполнение корпуса	SC-88/SC70-6/SOT-363
Количество схем	1
Полоса пропускания -3 дБ	250MHz
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	2:1
Переключающая схема	SPDT
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	7 Ohm (Typ)
Напряжение питания (V+)	1.65 V ~ 5.5 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	-
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	500 mOhm
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	-
Инжекция заряда	7pC
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	-
Ток утечки (IS(off)) (Max)	100nA
Перекрёстные помехи	-54dB @ 10MHz

NLVASB3157DFT2G

NLVASB3157DFT2G характеристики