NLHV4051DR2G характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Корпус	16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 125°C (TA)
Исполнение корпуса	16-SOIC
Количество схем	1
Полоса пропускания -3 дБ	17MHz
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	8:1
Переключающая схема	-
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	280 Ohm
Напряжение питания (V+)	3 V ~ 18 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	-
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	10 Ohm
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	-
Инжекция заряда	-
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	-
Ток утечки (IS(off)) (Max)	100nA
Перекрёстные помехи	-

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Корпус	16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 125°C (TA)
Исполнение корпуса	16-SOIC
Количество схем	1
Полоса пропускания -3 дБ	17MHz
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	8:1
Переключающая схема	-
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	280 Ohm
Напряжение питания (V+)	3 V ~ 18 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	-
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	10 Ohm
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	-
Инжекция заряда	-
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	-
Ток утечки (IS(off)) (Max)	100nA
Перекрёстные помехи	-

NLHV4051DR2G

NLHV4051DR2G характеристики