NLAS52231MUR2G характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Last Time Buy
Упаковка	Cut Tape (CT)
Корпус	10-UFQFN
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Исполнение корпуса	10-UQFN (1.4x1.8)
Количество схем	2
Base Part Number	NLAS52231
Полоса пропускания -3 дБ	36MHz
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	2:1
Переключающая схема	SPDT
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	430 mOhm
Напряжение питания (V+)	1.65 V ~ 4.5 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	-
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	50 mOhm (Max)
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	50ns, 30ns
Инжекция заряда	53pC
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	39pF
Ток утечки (IS(off)) (Max)	500nA
Перекрёстные помехи	-88dB @ 100kHz

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Last Time Buy
Упаковка	Cut Tape (CT)
Корпус	10-UFQFN
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Исполнение корпуса	10-UQFN (1.4x1.8)
Количество схем	2
Base Part Number	NLAS52231
Полоса пропускания -3 дБ	36MHz
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	2:1
Переключающая схема	SPDT
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	430 mOhm
Напряжение питания (V+)	1.65 V ~ 4.5 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	-
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	50 mOhm (Max)
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	50ns, 30ns
Инжекция заряда	53pC
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	39pF
Ток утечки (IS(off)) (Max)	500nA
Перекрёстные помехи	-88dB @ 100kHz

NLAS52231MUR2G

NLAS52231MUR2G характеристики