NLAS5213BMUTAG характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Корпус	8-UFDFN
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Исполнение корпуса	8-UDFN (1.8x1.2)
Количество схем	2
Base Part Number	NLAS5213
Полоса пропускания -3 дБ	496MHz
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	1:1
Переключающая схема	SPST - NO
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	1.3 Ohm
Напряжение питания (V+)	1.65 V ~ 4.5 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	-
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	150 mOhm
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	20ns, 15ns
Инжекция заряда	-
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	19pF
Ток утечки (IS(off)) (Max)	1µA
Перекрёстные помехи	-97dB @ 1MHz

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Корпус	8-UFDFN
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Исполнение корпуса	8-UDFN (1.8x1.2)
Количество схем	2
Base Part Number	NLAS5213
Полоса пропускания -3 дБ	496MHz
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	1:1
Переключающая схема	SPST - NO
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	1.3 Ohm
Напряжение питания (V+)	1.65 V ~ 4.5 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	-
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	150 mOhm
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	20ns, 15ns
Инжекция заряда	-
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	19pF
Ток утечки (IS(off)) (Max)	1µA
Перекрёстные помехи	-97dB @ 1MHz

NLAS5213BMUTAG

NLAS5213BMUTAG характеристики