NLAS5123MUR2G характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Корпус	6-UFDFN
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Исполнение корпуса	6-UDFN (1.2x1)
Количество схем	1
Base Part Number	NLAS5123
Полоса пропускания -3 дБ	55MHz
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	2:1
Переключающая схема	SPDT
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	1 Ohm
Напряжение питания (V+)	1.65 V ~ 4.5 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	-
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	120 mOhm
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	20ns, 15ns
Инжекция заряда	48pC
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	20pF
Ток утечки (IS(off)) (Max)	2nA
Перекрёстные помехи	-70dB @ 1MHz

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Корпус	6-UFDFN
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Исполнение корпуса	6-UDFN (1.2x1)
Количество схем	1
Base Part Number	NLAS5123
Полоса пропускания -3 дБ	55MHz
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	2:1
Переключающая схема	SPDT
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	1 Ohm
Напряжение питания (V+)	1.65 V ~ 4.5 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	-
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	120 mOhm
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	20ns, 15ns
Инжекция заряда	48pC
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	20pF
Ток утечки (IS(off)) (Max)	2nA
Перекрёстные помехи	-70dB @ 1MHz

NLAS5123MUR2G

NLAS5123MUR2G характеристики