NLAS4783BMN1R2G характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Корпус	16-VFQFN Exposed Pad
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Исполнение корпуса	16-QFN (3x3)
Количество схем	3
Base Part Number	NLAS4783
Полоса пропускания -3 дБ	17MHz
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	2:1
Переключающая схема	SPDT
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	1 Ohm
Напряжение питания (V+)	1.65 V ~ 4.5 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	-
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	400 mOhm (Max)
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	27ns, 20ns
Инжекция заряда	50pC
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	5pF
Ток утечки (IS(off)) (Max)	500nA
Перекрёстные помехи	-62dB @ 100kHz

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Корпус	16-VFQFN Exposed Pad
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Исполнение корпуса	16-QFN (3x3)
Количество схем	3
Base Part Number	NLAS4783
Полоса пропускания -3 дБ	17MHz
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	2:1
Переключающая схема	SPDT
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	1 Ohm
Напряжение питания (V+)	1.65 V ~ 4.5 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	-
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	400 mOhm (Max)
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	27ns, 20ns
Инжекция заряда	50pC
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	5pF
Ток утечки (IS(off)) (Max)	500nA
Перекрёстные помехи	-62dB @ 100kHz

NLAS4783BMN1R2G

NLAS4783BMN1R2G характеристики