NLAS4717EPMTR2G характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Корпус	10-WFQFN
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Исполнение корпуса	10-WQFN (1.4x1.8)
Количество схем	2
Base Part Number	NLAS4717
Полоса пропускания -3 дБ	90MHz
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	2:1
Переключающая схема	SPDT
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	3.5 Ohm
Напряжение питания (V+)	1.8 V ~ 5.5 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	-
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	100 mOhm
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	30ns, 40ns
Инжекция заряда	9pC
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	15pF
Ток утечки (IS(off)) (Max)	1nA
Перекрёстные помехи	-110dB @ 1MHz

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Корпус	10-WFQFN
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Исполнение корпуса	10-WQFN (1.4x1.8)
Количество схем	2
Base Part Number	NLAS4717
Полоса пропускания -3 дБ	90MHz
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	2:1
Переключающая схема	SPDT
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	3.5 Ohm
Напряжение питания (V+)	1.8 V ~ 5.5 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	-
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	100 mOhm
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	30ns, 40ns
Инжекция заряда	9pC
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	15pF
Ток утечки (IS(off)) (Max)	1nA
Перекрёстные помехи	-110dB @ 1MHz

NLAS4717EPMTR2G

NLAS4717EPMTR2G характеристики