NLAS44599MNR2G характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Корпус	16-VFQFN Exposed Pad
Рабочая температура	-55°C ~ 125°C (TA)
Исполнение корпуса	16-QFN (3x3)
Количество схем	2
Base Part Number	NLAS44599
Полоса пропускания -3 дБ	175MHz
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	2:2
Переключающая схема	DPDT
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	25 Ohm
Напряжение питания (V+)	2 V ~ 5.5 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	-
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	-
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	14ns, 5ns
Инжекция заряда	3pC
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	10pF, 10pF
Ток утечки (IS(off)) (Max)	10µA
Перекрёстные помехи	-90dB @ 100kHz

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Корпус	16-VFQFN Exposed Pad
Рабочая температура	-55°C ~ 125°C (TA)
Исполнение корпуса	16-QFN (3x3)
Количество схем	2
Base Part Number	NLAS44599
Полоса пропускания -3 дБ	175MHz
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	2:2
Переключающая схема	DPDT
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	25 Ohm
Напряжение питания (V+)	2 V ~ 5.5 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	-
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	-
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	14ns, 5ns
Инжекция заряда	3pC
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	10pF, 10pF
Ток утечки (IS(off)) (Max)	10µA
Перекрёстные помехи	-90dB @ 100kHz

NLAS44599MNR2G

NLAS44599MNR2G характеристики