NLAS3699BMN1R2G характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Корпус	16-VFQFN Exposed Pad
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Исполнение корпуса	16-QFN (3x3)
Количество схем	2
Base Part Number	NLAS3699B
Полоса пропускания -3 дБ	20MHz
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	2:2
Переключающая схема	DPDT
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	550 mOhm
Напряжение питания (V+)	1.65 V ~ 4.5 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	-
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	50 mOhm
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	50ns, 50ns
Инжекция заряда	50pC
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	7pF
Ток утечки (IS(off)) (Max)	500nA
Перекрёстные помехи	-62dB @ 100kHz

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Корпус	16-VFQFN Exposed Pad
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Исполнение корпуса	16-QFN (3x3)
Количество схем	2
Base Part Number	NLAS3699B
Полоса пропускания -3 дБ	20MHz
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	2:2
Переключающая схема	DPDT
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	550 mOhm
Напряжение питания (V+)	1.65 V ~ 4.5 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	-
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	50 mOhm
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	50ns, 50ns
Инжекция заряда	50pC
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	7pF
Ток утечки (IS(off)) (Max)	500nA
Перекрёстные помехи	-62dB @ 100kHz

NLAS3699BMN1R2G

NLAS3699BMN1R2G характеристики