NLAS3158MNR2G характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Корпус	12-WFDFN
Рабочая температура	-55°C ~ 125°C (TA)
Исполнение корпуса	12-WDFN (3x1)
Количество схем	2
Base Part Number	NLAS3158
Полоса пропускания -3 дБ	250MHz
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	2:1
Переключающая схема	SPDT
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	13 Ohm
Напряжение питания (V+)	1.65 V ~ 5.5 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	-
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	150 mOhm
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	5.2ns, 3.5ns
Инжекция заряда	7pC
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	2.3pF
Ток утечки (IS(off)) (Max)	100nA
Перекрёстные помехи	-54dB @ 10MHz

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Корпус	12-WFDFN
Рабочая температура	-55°C ~ 125°C (TA)
Исполнение корпуса	12-WDFN (3x1)
Количество схем	2
Base Part Number	NLAS3158
Полоса пропускания -3 дБ	250MHz
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	2:1
Переключающая схема	SPDT
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	13 Ohm
Напряжение питания (V+)	1.65 V ~ 5.5 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	-
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	150 mOhm
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	5.2ns, 3.5ns
Инжекция заряда	7pC
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	2.3pF
Ток утечки (IS(off)) (Max)	100nA
Перекрёстные помехи	-54dB @ 10MHz

NLAS3158MNR2G

NLAS3158MNR2G характеристики