NCP5339MNTXG Микросхемы управления электропитанием - Схемы управления Мостовые, Полумостовые, IC MOSFET DVR HI/LO SIDE 40QFN, ON Semiconductor

NCP5339MNTXG характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	40-VFQFN Exposed Pad
Технология	NMOS
Рабочая температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Особенности	Bootstrap Circuit
Интерфейс	PWM
Применение	DC-DC Converters
Исполнение корпуса	40-QFN (6x6)
Напряжение питания	4.5 V ~ 5.5 V
Выходной ток на канал	50A
Повторяющийся импульсный ток	80A
Конфигурация выхода	Half Bridge
Защита от отказов	Over Temperature, UVLO
Тип нагрузки	Inductive
Сопротивление Rds On (Номинальное)	-
Напряжение нагрузки	4.5 V ~ 16 V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	40-VFQFN Exposed Pad
Технология	NMOS
Рабочая температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Особенности	Bootstrap Circuit
Интерфейс	PWM
Применение	DC-DC Converters
Исполнение корпуса	40-QFN (6x6)
Напряжение питания	4.5 V ~ 5.5 V
Выходной ток на канал	50A
Повторяющийся импульсный ток	80A
Конфигурация выхода	Half Bridge
Защита от отказов	Over Temperature, UVLO
Тип нагрузки	Inductive
Сопротивление Rds On (Номинальное)	-
Напряжение нагрузки	4.5 V ~ 16 V