NCP1393BDR2G характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Технология	Power MOSFET
Рабочая температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Особенности	Bootstrap Circuit, Internal Oscillator
Интерфейс	On/Off
Применение	AC Loads, Bulbs, General Purpose
Исполнение корпуса	8-SOIC
Напряжение питания	16V
Выходной ток на канал	-
Повторяющийся импульсный ток	1A
Конфигурация выхода	Half Bridge (2)
Защита от отказов	Shoot-Through
Тип нагрузки	Inductive, Capacitive, Resistive
Сопротивление Rds On (Номинальное)	5 mOhm LS, 12 mOhm HS
Напряжение нагрузки	16V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Технология	Power MOSFET
Рабочая температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Особенности	Bootstrap Circuit, Internal Oscillator
Интерфейс	On/Off
Применение	AC Loads, Bulbs, General Purpose
Исполнение корпуса	8-SOIC
Напряжение питания	16V
Выходной ток на канал	-
Повторяющийся импульсный ток	1A
Конфигурация выхода	Half Bridge (2)
Защита от отказов	Shoot-Through
Тип нагрузки	Inductive, Capacitive, Resistive
Сопротивление Rds On (Номинальное)	5 mOhm LS, 12 mOhm HS
Напряжение нагрузки	16V

NCP1393BDR2G

NCP1393BDR2G характеристики